Siliciumwafers

Hoe heet de periodieke strookvormige verandering van de concentratie van dopanten of zuurstof in CZ-kristal, veroorzaakt door onder meer temperatuurschommelingen aan het groeigrensvlak van het kristal?

  1. AStriatie (groeistrepen)
  2. BNotch
  3. CFacet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Striatie (groeistrepen)

Wanneer het kristal onder rotatie wordt getrokken, veranderen door convectie van de smelt en temperatuurschommelingen de groeisnelheid aan het groeigrensvlak en de hoeveelheid opgenomen onzuiverheden periodiek. Daardoor ontstaan striaties, waarbij de concentratie van dopanten en zuurstof strookvormig varieert en die kleine variaties in de soortelijke weerstand veroorzaken. Ze verschijnen in het waferoppervlak als concentrische patronen zoals jaarringen en kunnen worden verminderd door convectie met de MCZ-methode te onderdrukken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Langs welk kristalvlak breekt (splijt) monokristallijn silicium het gemakkelijkst?
  2. Welke methode wordt het meest gebruikt voor de productie van monokristallijn silicium voor LSI's?
  3. Welke waferdiameter is momenteel de gangbare in de massaproductielijnen voor de meest geavanceerde logica en geheugens?
  4. Welke eigenschap van met de FZ-methode (floating-zone-methode) vervaardigd monokristallijn silicium is juist?
  5. Wat is de belangrijkste functie van de notch (kleine uitsparing) aan de rand van een siliciumwafer?

Vergelijkingen bij dit onderwerp