Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Wat is de juiste oorzaak van slip, een probleem bij de warmtebehandeling van wafers met grote diameter bij hoge temperatuur?

  1. ADoor temperatuurverschillen in de wafer en spanning door het eigen gewicht verschuiven kristalvlakken en ontstaan dislocaties
  2. BVreemde deeltjes hechten zich aan het waferoppervlak
  3. CDe onzuiverheidsconcentratie daalt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Door temperatuurverschillen in de wafer en spanning door het eigen gewicht verschuiven kristalvlakken en ontstaan dislocaties

Bij hoge temperatuur neemt de sterkte van silicium sterk af, zodat door temperatuurverschillen in de wafer bij snel verwarmen en afkoelen en door spanning van het eigen gewicht op de steunpunten kristalvlakken ({111}-vlakken) schuiven en dislocaties (slip) ontstaan. Ze ontstaan vaak nabij de steunpennen aan de rand en veroorzaken lekstroom in componenten, yieldverlies en overlayfouten bij belichting. Ze worden voorkomen door de snelheid van opwarmen en afkoelen te beperken en de ondersteuningsmethode en -vorm te optimaliseren.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welke waarde ligt het dichtst bij de massa van één siliciumwafer met een diameter van 300 mm en een dikte van 775 µm? (De dichtheid van silicium is circa 2,33 g/cm³.)
  2. Welke methode wordt gebruikt om polykristallijne siliciumingots voor zonnecellen goedkoop in grote aantallen te maken?
  3. Wat is de belangrijkste reden om bij het einde van het trekken van een monokristal met de CZ-methode de diameter van de ingot geleidelijk te laten afnemen (het staartstuk toe te spitsen) voordat hij van de smelt wordt losgemaakt?
  4. Welke waarde ligt het dichtst bij de gebruikelijke concentratie interstitieel zuurstof in een met de CZ-methode gegroeid siliciumkristal?
  5. Welk slijpmiddel wordt in het algemeen gebruikt in de polijstvloeistof bij het spiegelpolijsten van siliciumwafers (finish-polijsten met CMP)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp