Welke methode wordt het meest gebruikt voor de productie van monokristallijn silicium voor LSI's?

Antwoord: A. Czochralski-methode (CZ-methode)

Bij de CZ-methode wordt een zaadkristal ondergedompeld in silicium dat in een kwartsen kroes bij ongeveer 1420 °C of hoger is gesmolten, en onder rotatie langzaam met een snelheid van enkele cm per uur omhooggetrokken, zodat een monokristallijne ingot met een diameter van 300 mm, een lengte van circa 2 m en een gewicht van enkele honderden kg ontstaat. De methode is geschikt voor grote diameters en massaproductie, en het grootste deel van de wafers voor LSI's wordt hiermee gemaakt. In 1916 bedacht de Pool Czochralski haar als groeimethode voor metaalkristallen.