Wat is het belangrijkste doel van het regelen van de verhouding (V/G) tussen de treksnelheid van het kristal en de temperatuurgradiënt in het kristal bij de CZ-methode?

Antwoord: A. Het type en de hoeveelheid puntdefecten (vacatures en interstitieel silicium) die in het kristal worden opgenomen regelen en zo kristaldefecten verminderen

De verhouding tussen de treksnelheid V en de temperatuurgradiënt G nabij het grensvlak bepaalt of de in overmaat opgenomen puntdefecten in het kristal vacatures of interstitieel silicium zijn. Bij een grote V/G blijven vacatures over en klonteren samen tot microscopische holten (COP), bij een kleine V/G blijft interstitieel silicium over en ontstaan dislocatielussen. Wanneer onder een smalle voorwaarde wordt getrokken waarin beide precies in evenwicht zijn, wordt een kristal verkregen met vrijwel geen van beide defecten (perfect kristal, perfect silicon).