Siliciumwafers
Welke beschrijving van gettering is juist?
- AEen bewerking waarbij de wafer dun wordt geslepen
- BEen techniek waarbij schadelijke metaalonzuiverheden worden ingevangen op een plek buiten het gebied waar de componenten worden gemaakt
- CEen techniek waarbij meerdere wafers aan elkaar worden gebonden
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Een techniek waarbij schadelijke metaalonzuiverheden worden ingevangen op een plek buiten het gebied waar de componenten worden gemaakt
Gettering is een techniek waarbij metaalonzuiverheden zoals ijzer, koper en nikkel, die de eigenschappen van componenten verslechteren, worden verzameld en ingevangen bij defecten in het binnenste of aan de achterzijde van de wafer, ver van het componentgebied aan het oppervlak. Metalen veroorzaken toenemende lekstroom en degradatie van het oxide, en al een geringe verontreiniging van circa 10¹⁰ atomen/cm² is problematisch. Er zijn intrinsieke gettering met zuurstofprecipitaten in de wafer en extrinsieke gettering, waarbij aan de achterzijde bewerkingsspanning of een polykristallijne laag wordt aangebracht.