Siliciumwafers

Welke beschrijving van gettering is juist?

  1. AEen bewerking waarbij de wafer dun wordt geslepen
  2. BEen techniek waarbij schadelijke metaalonzuiverheden worden ingevangen op een plek buiten het gebied waar de componenten worden gemaakt
  3. CEen techniek waarbij meerdere wafers aan elkaar worden gebonden
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Een techniek waarbij schadelijke metaalonzuiverheden worden ingevangen op een plek buiten het gebied waar de componenten worden gemaakt

Gettering is een techniek waarbij metaalonzuiverheden zoals ijzer, koper en nikkel, die de eigenschappen van componenten verslechteren, worden verzameld en ingevangen bij defecten in het binnenste of aan de achterzijde van de wafer, ver van het componentgebied aan het oppervlak. Metalen veroorzaken toenemende lekstroom en degradatie van het oxide, en al een geringe verontreiniging van circa 10¹⁰ atomen/cm² is problematisch. Er zijn intrinsieke gettering met zuurstofprecipitaten in de wafer en extrinsieke gettering, waarbij aan de achterzijde bewerkingsspanning of een polykristallijne laag wordt aangebracht.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welke onzuiverheid wordt in relatief grote hoeveelheid uit de kroes in een met de CZ-methode gegroeid siliciumkristal opgenomen?
  2. Welke volgorde is het meest geschikt voor het proces waarmee uit een monokristallijne ingot wafers worden gemaakt?
  3. Welke typische productiemethode voor SOI-wafers is juist?
  4. Welke kristaloriëntatie wordt in het algemeen gebruikt voor siliciumwafers voor CMOS-LSI's?
  5. Welk verband tussen de soortelijke weerstand van een siliciumwafer en de concentratie van de toegevoegde onzuiverheid is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp