Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Wat is de juiste belangrijkste reden waarom siliciumwafers een hoge vlakheid moeten hebben?

  1. AOm het gewicht van de wafers gelijk te maken
  2. BOmdat bij belichting het gehele patroon binnen het bereik van de scherptediepte moet vallen
  3. COm de kleur van de wafers gelijk te maken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat bij belichting het gehele patroon binnen het bereik van de scherptediepte moet vallen

Hoe fijner het patroon dat wordt belicht, hoe geringer de scherptediepte; bij geavanceerde belichting is deze slechts circa 100 nm. Al een kleine oneffenheid van het waferoppervlak brengt de scherpstelling uit evenwicht en maakt het patroon onscherp. Daarom wordt de lokale vlakheid (SFQR) per belichtingsgebied (bijvoorbeeld een shot van 26 × 33 mm) beheerd op enkele tientallen nm of minder. De belichtingsapparatuur meet ook per shot de hoogte om scherp te stellen, maar daarbij wordt de vlakheid van de wafer zelf verondersteld.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welke apparatuur wordt in het algemeen gebruikt om een siliciumingot in één keer in veel wafers te zagen?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het afschuinen (bevelen) van de rand van een wafer?
  3. Welke onzuiverheid wordt typisch aan de smelt toegevoegd om bij de CZ-methode p-type siliciumkristal te maken?
  4. Bij de CZ-methode neemt de onzuiverheidsconcentratie toe naarmate men het onderste deel van het kristal (de tweede helft van het trekken) nadert. Wat is hiervoor de juiste reden?
  5. Welke uitspraak over de wafers van 450 mm, die als volgende diameter na 300 mm werden ontwikkeld, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp