Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Hoe heet de zeer geleidelijke oneffenheid aan het waferoppervlak met een golflengte van enkele mm en een hoogte van enkele tientallen nm?

  1. ANanotopografie
  2. BNotch
  3. COppervlakteruwheid
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Nanotopografie

Nanotopografie is een geleidelijke hoogteverandering met een laterale uitgestrektheid van circa 0,2 tot 20 mm en een hoogte van enkele tot enkele tientallen nm. Hoewel ze zo geleidelijk is dat ze binnen het scherptebereik van de belichting geen probleem vormt, kan bij het planariseren van dunne lagen met CMP de pad deze golving niet volledig volgen, waardoor de laagdikte plaatselijk gaat variëren. Ze wordt onderdrukt met de voorwaarden van het polijsten en dubbelzijdig polijsten en wordt bij wafers voor geavanceerde componenten streng beheerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welk effect heeft interstitieel zuurstof in CZ-silicium op de mechanische sterkte van de wafer vergeleken met FZ-silicium?
  2. Welk effect is bekend van het toevoegen van een geringe hoeveelheid stikstof (stikstofdotering) tijdens de groei van CZ-kristal?
  3. Welke methode etst defecten selectief ondiep, zodat dislocaties en stapelfouten in siliciumkristal met een optische microscoop kunnen worden waargenomen?
  4. Hoe heet de periodieke strookvormige verandering van de concentratie van dopanten of zuurstof in CZ-kristal, veroorzaakt door onder meer temperatuurschommelingen aan het groeigrensvlak van het kristal?
  5. Langs welk kristalvlak breekt (splijt) monokristallijn silicium het gemakkelijkst?

Vergelijkingen bij dit onderwerp