Siliciumwafers
Welke reden waarom SiC-wafers moeilijk te produceren en duur zijn, is juist?
- AOmdat het kristal met de CZ-methode zeer snel kan groeien
- BOmdat de grondstof overvloediger voorhanden is dan silicium
- COmdat het onder atmosferische druk niet smelt, het kristal bij hoge temperatuur met onder meer de sublimatiemethode moet worden gegroeid, de groei traag is en gemakkelijk defecten ontstaan
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Omdat het onder atmosferische druk niet smelt, het kristal bij hoge temperatuur met onder meer de sublimatiemethode moet worden gegroeid, de groei traag is en gemakkelijk defecten ontstaan
SiC smelt onder atmosferische druk niet maar sublimeert bij circa 2700 °C, zodat het kristal niet zoals bij silicium uit een smelt kan worden getrokken. Het wordt gegroeid met de sublimatiemethode (gewijzigde Lely-methode), waarbij grondstofpoeder bij 2000 tot 2500 °C sublimeert en op een iets koeler zaadkristal herkristalliseert; de groeisnelheid is met 0,1 tot 1 mm per uur minder dan een honderdste van die van silicium en er ontstaan gemakkelijk defecten zoals dislocaties. Bovendien is het zeer hard, zodat zagen en polijsten veel tijd kosten.