Siliciumwafers

Welke onzuiverheid wordt in relatief grote hoeveelheid uit de kroes in een met de CZ-methode gegroeid siliciumkristal opgenomen?

  1. AGoud
  2. BZuurstof
  3. CHelium
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Zuurstof

Bij de CZ-methode wordt silicium in een kwartsen (SiO2) kroes gesmolten, zodat zuurstof die uit de kroes oplost in een concentratie van circa 10¹⁸ cm⁻³ in het kristal wordt opgenomen. Zuurstof verhoogt de mechanische sterkte van het kristal doordat het dislocaties vastzet en de precipitaten die bij warmtebehandeling ontstaan werken als gettersites, maar een te hoge concentratie veroorzaakt defecten en thermische donoren. Daarom wordt de concentratie geregeld met onder meer de MCZ-methode, waarbij convectie met een magneetveld wordt onderdrukt, en wordt per toepassing een specificatie vastgesteld.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welke volgorde is het meest geschikt voor het proces waarmee uit een monokristallijne ingot wafers worden gemaakt?
  2. Welke typische productiemethode voor SOI-wafers is juist?
  3. Welke kristaloriëntatie wordt in het algemeen gebruikt voor siliciumwafers voor CMOS-LSI's?
  4. Welk verband tussen de soortelijke weerstand van een siliciumwafer en de concentratie van de toegevoegde onzuiverheid is juist?
  5. Welke waarde ligt het dichtst bij de standaarddikte van een siliciumwafer van 300 mm?

Vergelijkingen bij dit onderwerp