Siliciumwafers

Welke eigenschap van met de FZ-methode (floating-zone-methode) vervaardigd monokristallijn silicium is juist?

  1. AGrote diameters zijn het eenvoudigst te realiseren en het is de gangbare methode voor wafers van 300 mm
  2. BOmdat geen kwartsen kroes wordt gebruikt, bevat het weinig onzuiverheden zoals zuurstof en zijn kristallen met hoge soortelijke weerstand eenvoudig te verkrijgen
  3. CPolykristallijn silicium wordt monokristallijn zonder het te smelten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat geen kwartsen kroes wordt gebruikt, bevat het weinig onzuiverheden zoals zuurstof en zijn kristallen met hoge soortelijke weerstand eenvoudig te verkrijgen

Bij de FZ-methode wordt een deel van een staaf polykristallijn silicium met hoogfrequente inductieverwarming als smalle zone gesmolten en wordt die smeltzone verplaatst, zodat het monokristallijn wordt. Omdat geen kroes wordt gebruikt, komt weinig zuurstof binnen, en onzuiverheden verzamelen zich in de smeltzone en worden verwijderd, zodat zeer zuivere kristallen met een soortelijke weerstand van 1000 Ω·cm of hoger kunnen worden verkregen. Ze worden gebruikt voor vermogenscomponenten met hoge spanningsvastheid (zoals IGBT's) en detectoren; grote diameters zijn met de CZ-methode eenvoudiger, en voor FZ ligt de grens rond 200 mm.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Wat is de belangrijkste functie van de notch (kleine uitsparing) aan de rand van een siliciumwafer?
  2. Welke beschrijving van gettering is juist?
  3. Welke onzuiverheid wordt in relatief grote hoeveelheid uit de kroes in een met de CZ-methode gegroeid siliciumkristal opgenomen?
  4. Welke volgorde is het meest geschikt voor het proces waarmee uit een monokristallijne ingot wafers worden gemaakt?
  5. Welke typische productiemethode voor SOI-wafers is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp