Siliciumwafers
Welke eigenschap van met de FZ-methode (floating-zone-methode) vervaardigd monokristallijn silicium is juist?
- AGrote diameters zijn het eenvoudigst te realiseren en het is de gangbare methode voor wafers van 300 mm
- BOmdat geen kwartsen kroes wordt gebruikt, bevat het weinig onzuiverheden zoals zuurstof en zijn kristallen met hoge soortelijke weerstand eenvoudig te verkrijgen
- CPolykristallijn silicium wordt monokristallijn zonder het te smelten
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Omdat geen kwartsen kroes wordt gebruikt, bevat het weinig onzuiverheden zoals zuurstof en zijn kristallen met hoge soortelijke weerstand eenvoudig te verkrijgen
Bij de FZ-methode wordt een deel van een staaf polykristallijn silicium met hoogfrequente inductieverwarming als smalle zone gesmolten en wordt die smeltzone verplaatst, zodat het monokristallijn wordt. Omdat geen kroes wordt gebruikt, komt weinig zuurstof binnen, en onzuiverheden verzamelen zich in de smeltzone en worden verwijderd, zodat zeer zuivere kristallen met een soortelijke weerstand van 1000 Ω·cm of hoger kunnen worden verkregen. Ze worden gebruikt voor vermogenscomponenten met hoge spanningsvastheid (zoals IGBT's) en detectoren; grote diameters zijn met de CZ-methode eenvoudiger, en voor FZ ligt de grens rond 200 mm.