Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Wat betekent de 'V/III-verhouding' die bij de groei van GaN met MOCVD als voorwaarde wordt beheerst?

  1. ADe verhouding tussen laagdikte en groeitijd
  2. BDe molaire verhouding tussen de toegevoerde groep-V-grondstof (zoals ammoniak) en groep-III-grondstof (zoals organogallium)
  3. CDe verhouding tussen groeitemperatuur en druk
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De molaire verhouding tussen de toegevoerde groep-V-grondstof (zoals ammoniak) en groep-III-grondstof (zoals organogallium)

De V/III-verhouding is de verhouding tussen de hoeveelheid grondstof van het groep-V-element en die van het groep-III-element die aan de reactor wordt toegevoerd. Bij de groei van GaN wordt de V/III-verhouding zeer groot gekozen, enkele honderden tot enkele duizenden, omdat ammoniak met een lage efficiëntie ontleedt en stikstof bij hoge temperatuur gemakkelijk ontsnapt. De V/III-verhouding is een belangrijke voorwaarde die de vlakheid van het oppervlak, de balans tussen zijwaartse en verticale groeisnelheid, de opname van onzuiverheden zoals koolstof en de hoeveelheid puntdefecten beïnvloedt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Hoe heet het verschijnsel dat bij hoge-temperatuurgroei van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie onzuiverheden uit het substraat door diffusie in vaste stof naar de epilaag sijpelen, waardoor de concentratieovergang aan het grensvlak minder abrupt wordt?
  2. Welke techniek, ontwikkeld door onder meer Isamu Akasaki en Hiroshi Amano, waarbij eerst bij lage temperatuur een dunne laag wordt afgezet en daarna bij hoge temperatuur GaN wordt gegroeid, dient om GaN van hoge kwaliteit op een saffiersubstraat te laten groeien?
  3. Welke groeimodus, die ook voor het maken van kwantumdots wordt gebruikt, houdt in dat bij een roostermismatch de eerste paar atoomlagen laag voor laag groeien en bij oplopende spanning overgaan op eilandgroei?
  4. Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van silicium op een substraat met patronen zoals een buried layer de positie van de op het oppervlak zichtbare trap verschuift ten opzichte van het onderliggende patroon of de vorm vervormt?
  5. Wat is het belangrijkste doel van het inbedden van epitaxiaal gegroeid Si:C, silicium met een beetje koolstof, in source en drain van nMOS?