Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een substraat dat enkele graden van de kristalas is gekanteld (met off-angle) bij epitaxiale groei van SiC?

Antwoord: A. Zodat de groei vanaf atoomstappen op het oppervlak zijwaarts verloopt (step-flow-groei) en dezelfde kristalpolytype als het substraat wordt overgenomen

SiC kent veel kristalpolytypen met verschillende stapelvolgordes van atomen, en bij groei op een vlak oppervlak treedt gemakkelijk menging met een ander polytype (zoals 3C-SiC) op. Bij een substraat met een off-angle van circa 4° bevat het oppervlak veel atoomstappen, waarin de grondstof wordt ingebouwd en de groei zijwaarts voortschrijdt (step-flow-groei), zodat een kristal wordt verkregen dat de stapelvolgorde van 4H-SiC van het substraat overneemt.