Epitaxiale groei
Welke items worden als kwaliteit van een epitaxiale wafer beheerst?
- AKleur en gewicht van de wafer
- BLaagdikte en soortelijke weerstand (onzuiverheidsconcentratie) van de epilaag, en kristaldefecten
- CAlleen de prijs van de wafer
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Laagdikte en soortelijke weerstand (onzuiverheidsconcentratie) van de epilaag, en kristaldefecten
Bij epitaxiale wafers is het belangrijk dat laagdikte en soortelijke weerstand (onzuiverheidsconcentratie) van de epilaag aan de specificatie voldoen en uniform zijn over de wafer; beide worden bijvoorbeeld beheerst binnen enkele procenten. Daarnaast worden weinig kristaldefecten zoals stapelfouten en deeltjes, vlakheid en metaalverontreiniging beheerst. De laagdikte wordt niet-destructief gemeten met FTIR en de soortelijke weerstand met bijvoorbeeld C-V-metingen, en defecten worden geteld met oppervlakte-inspectie door laserverstrooiing.