Epitaxiale groei

Welke techniek in onderzoeksfase laat een kristal groeien op een substraat dat met een 2D-materiaal zoals grafeen is bedekt, zodat de gegroeide film van het substraat kan worden losgemaakt en het substraat hergebruikt?

  1. ARemote epitaxy
  2. BThermische diffusie
  3. CAnodische bonding
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Remote epitaxy

Bij remote epitaxy wordt het substraat bedekt met grafeen van 1 tot 2 atoomlagen en groeit daarop een kristal. Omdat grafeen dun genoeg is, lekt de potentiaal van de substraatatomen erdoorheen en wordt de kristalinformatie van het substraat doorgegeven, zodat een monokristal wordt verkregen, terwijl film en substraat geen chemische binding aangaan; de gegroeide film kan daardoor gemakkelijk met bijvoorbeeld tape worden losgemaakt en het substraat kan worden hergebruikt. Men verwacht toepassingen in het hergebruik van dure GaAs- en SiC-substraten en in buigbare componenten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Wat is het belangrijkste doel van het toevoegen van koolstof of ijzer aan de GaN-bufferlaag onder het kanaal in een epistructuur voor GaN-HEMT's?
  2. Hoe heet de grens van een gebied in het kristal waar de volgorde van Ga en As is omgekeerd, die gemakkelijk ontstaat wanneer een polaire samengestelde halfgeleider zoals GaAs op een niet-polair siliciumsubstraat wordt gegroeid?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van SiC meerdere atoomstappen op het oppervlak samenkomen tot een grote trap, waardoor het oppervlak ruw wordt?
  4. Welke uitspraak over epitaxiale groei is juist?
  5. Welk voorbeeld van heteroepitaxiale groei is juist?