Wat is het belangrijkste doel van het toevoegen van koolstof of ijzer aan de GaN-bufferlaag onder het kanaal in een epistructuur voor GaN-HEMT's?

Antwoord: B. De bufferlaag een hoge weerstand geven en lekstroom in de uit-toestand en korte-kanaaleffecten onderdrukken

GaN wordt gemakkelijk n-type door donoren zoals zuurstof en silicium die tijdens de groei onbedoeld worden opgenomen. Als er stroom door de bufferlaag loopt, is de stroom met de gate moeilijk te stoppen en neemt de lekstroom bij hoge spanning toe. Door koolstof of ijzer toe te voegen worden elektronen in diepe niveaus ingevangen en krijgt de bufferlaag een hoge weerstand. Dit kan echter ook stroomcollaps (current collapse) veroorzaken, waarbij de 2DEG tijdelijk afneemt en de stroom daalt zolang de ingevangen lading niet is vrijgekomen, dus het afstemmen van hoeveelheid en positie van de toevoeging is belangrijk.