Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke uitspraak over de herkomst van het woord 'epitaxie' (epitaxy) is juist?

  1. AVan de Griekse woorden 'op' (epi) en 'ordenen, rangschikking' (taxis)
  2. BVan de Latijnse woorden 'warmte' (epi) en 'smelten' (taxis)
  3. CVan de naam van de uitvinder
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Van de Griekse woorden 'op' (epi) en 'ordenen, rangschikking' (taxis)

Epitaxie is een combinatie van de Griekse woorden epi (op) en taxis (ordenen, rangschikking) en duidt op het laten groeien van een kristal door het in dezelfde rangschikking op het kristal van het substraat te stapelen. De naam werd in 1928 gegeven door de Franse mineraloog Royer. Van hetzelfde woord is 'taxis' in de biologie het woord voor een reactie op een prikkel (beweging naar licht of chemische stoffen) en 'taxonomie' wordt gebruikt voor de wetenschap van de classificatie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welk bereik is gebruikelijk voor de dikte van de epitaxiale laag van siliciumepiwafers voor LSI en vermogenscomponenten?
  2. Wat is de belangrijkste rol van de grote hoeveelheid waterstof (H2) die samen met het grondstofgas wordt toegevoerd bij epitaxiale groei van silicium?
  3. Welke methode wordt gebruikt om een dikke GaN-laag snel te laten groeien om een vrijstaand GaN-substraat te maken?
  4. Welke waarde komt het dichtst bij de gangbare dichtheid van doorlopende dislocaties die in GaN op een saffiersubstraat tot aan het filmoppervlak doordringen?
  5. Wat is het belangrijkste doel van een laag met hoge concentratie (buried layer) onder de epitaxiale laag bij bijvoorbeeld bipolaire transistoren?