Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke uitspraak over de kenmerken van MBE (moleculaire bundelepitaxie) is juist?

  1. ADikke films groeien snel bij atmosferische druk
  2. BIn ultrahoogvacuüm worden de grondstoffen als moleculaire bundels aan het substraat toegevoerd, waardoor laagdikte en samenstelling op atoomlaagniveau nauwkeurig te regelen zijn
  3. CDe wafer wordt in een vloeibare grondstof gedompeld om te laten groeien
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. In ultrahoogvacuüm worden de grondstoffen als moleculaire bundels aan het substraat toegevoerd, waardoor laagdikte en samenstelling op atoomlaagniveau nauwkeurig te regelen zijn

Bij MBE worden in een ultrahoogvacuümapparaat van circa 10⁻⁸ Pa de grondstoffen verhit en als bundel van moleculen (atomen) op het substraat gericht, waarbij het kristal groeit. Met sluiters kunnen de grondstoffen onmiddellijk worden omgeschakeld, en met in-situ waarneming van de groei met RHEED zijn laagdikte en samenstelling per atoomlaag te regelen. De groeisnelheid is met circa 1 µm per uur laag en de massaproductiviteit blijft achter bij MOCVD, maar MBE wordt gebruikt voor onderzoek en ontwikkeling, hoogwaardige HEMT's en kwantumcomponenten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welk gas wordt als grondstof gebruikt bij de epitaxiale groei van silicium?
  2. Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat tijdens epitaxiale groei onzuiverheden uit bijvoorbeeld het substraat via de gasfase in de gegroeide laag worden opgenomen?
  4. Welk voordeel van een wafer waarop een p-type epitaxiale laag met lage concentratie op een p+-substraat is gegroeid (p/p+-epiwafer) is juist?
  5. Welke uitspraak over de kritische laagdikte bij heteroepitaxiale groei is juist?