Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Hoe heet het verschijnsel dat bij hoge-temperatuurgroei van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie onzuiverheden uit het substraat door diffusie in vaste stof naar de epilaag sijpelen, waardoor de concentratieovergang aan het grensvlak minder abrupt wordt?

  1. AElektromigratie
  2. BSputteren
  3. CUitdiffusie (out-diffusion)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Uitdiffusie (out-diffusion)

Door de hoge temperatuur tijdens epitaxiale groei en latere warmtebehandelingen diffunderen onzuiverheden uit het substraat met hoge concentratie door het vaste materiaal naar de epilaag, waardoor de concentratieovergang tussen substraat en epilaag minder abrupt wordt. Dit is uitdiffusie. De effectieve dikte van de laag met lage concentratie neemt af, wat bij vermogenscomponenten tot een lagere doorslagspanning leidt. Men voorkomt dit door in het substraat langzaam diffunderend arseen of antimoon te gebruiken en het thermisch budget te beperken. Het moet worden onderscheiden van auto-doping, waarbij opname via de gasfase plaatsvindt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke techniek, ontwikkeld door onder meer Isamu Akasaki en Hiroshi Amano, waarbij eerst bij lage temperatuur een dunne laag wordt afgezet en daarna bij hoge temperatuur GaN wordt gegroeid, dient om GaN van hoge kwaliteit op een saffiersubstraat te laten groeien?
  2. Welke groeimodus, die ook voor het maken van kwantumdots wordt gebruikt, houdt in dat bij een roostermismatch de eerste paar atoomlagen laag voor laag groeien en bij oplopende spanning overgaan op eilandgroei?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van silicium op een substraat met patronen zoals een buried layer de positie van de op het oppervlak zichtbare trap verschuift ten opzichte van het onderliggende patroon of de vorm vervormt?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het inbedden van epitaxiaal gegroeid Si:C, silicium met een beetje koolstof, in source en drain van nMOS?
  5. Welke techniek in onderzoeksfase laat een kristal groeien op een substraat dat met een 2D-materiaal zoals grafeen is bedekt, zodat de gegroeide film van het substraat kan worden losgemaakt en het substraat hergebruikt?