Bij epitaxiale groei met CVD hangt de groeisnelheid in het gebied met relatief lage temperatuur sterk van de temperatuur af. Welke verklaring is juist?

Antwoord: B. De snelheid van de chemische reactie aan het oppervlak bepaalt de groeisnelheid (oppervlaktereactiegelimiteerd)

Bij lage temperatuur is de chemische reactie aan het oppervlak traag en bepaalt de reactiesnelheid de groeisnelheid (oppervlaktereactiegelimiteerd). De reactiesnelheid hangt volgens de vergelijking van Arrhenius exponentieel van de temperatuur af, zodat ook de groeisnelheid sterk temperatuurafhankelijk is en de temperatuuruniformiteit over de wafer direct de uniformiteit van de laagdikte bepaalt. Bij hoge temperatuur is de reactie snel genoeg en bepaalt de snelheid waarmee grondstofgas het oppervlak bereikt de groeisnelheid (toevoergelimiteerd of diffusiegelimiteerd), waarbij de uniformiteit van de gasstroming belangrijk wordt.