Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welk gas wordt als grondstof gebruikt bij de epitaxiale groei van silicium?

  1. AAlleen argon
  2. BTrichloorsilaan (SiHCl3) of dichloorsilaan (SiH2Cl2)
  3. CZuurstof
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Trichloorsilaan (SiHCl3) of dichloorsilaan (SiH2Cl2)

Voor epitaxiale groei van silicium worden siliciumhoudende gassen zoals trichloorsilaan, dichloorsilaan en silaan samen met waterstof gebruikt. Bij hoge temperatuur ontleden en reduceren zij en slaat silicium op het substraat neer, bijvoorbeeld volgens de reactie SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl. Grondstoffen met chloor vereisen een hogere temperatuur, maar HCl onderdrukt de afzetting op oxide en is daarom geschikt voor selectieve groei. Voor doping worden fosfine of diboraan toegevoegd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?
  2. Hoe heet het verschijnsel dat tijdens epitaxiale groei onzuiverheden uit bijvoorbeeld het substraat via de gasfase in de gegroeide laag worden opgenomen?
  3. Welk voordeel van een wafer waarop een p-type epitaxiale laag met lage concentratie op een p+-substraat is gegroeid (p/p+-epiwafer) is juist?
  4. Welke uitspraak over de kritische laagdikte bij heteroepitaxiale groei is juist?
  5. Wat is het belangrijkste doel van het verhitten van de wafer in een waterstofatmosfeer bij hoge temperatuur vlak vóór de epitaxiale groei van silicium?