Epitaxiale groei
Wat is het belangrijkste doel van een laag met hoge concentratie (buried layer) onder de epitaxiale laag bij bijvoorbeeld bipolaire transistoren?
- ADe serieweerstand van de collector verlagen
- BDe basis dikker maken
- CDe epilaag een hoge weerstand geven
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. De serieweerstand van de collector verlagen
Bij een verticale bipolaire transistor stroomt de collectorstroom zijwaarts langs de onderkant van de epilaag naar de collectorelektrode aan het oppervlak. Als vóór de epitaxiale groei in het substraat met arseen of antimoon een n⁺-laag met hoge concentratie wordt gevormd en ingebed, daalt de weerstand van dit pad en verbeteren de verzadigingsspanning en de hoogfrequente eigenschappen van de transistor. Arseen en antimoon, die moeilijk diffunderen, worden gebruikt om de hoeveelheid die door de warmte tijdens epitaxiale groei omhoog sijpelt te beperken.