Epitaktisches Wachstum
Überprüfen Sie mit Multiple-Choice-Fragen die Definition des epitaktischen Wachstums, Homoepitaxie und Heteroepitaxie, Gitterfehlanpassung sowie MOCVD und MBE.
Die Fragen zu diesem Thema folgen in Kürze.
Epitaktisches Wachstum: Das Wichtigste
Epitaktisches Wachstum ist ein Verfahren, bei dem auf einem einkristallinen Substrat ein einkristalliner Dünnfilm mit derselben Kristallorientierung wie das Substrat aufgewachsen wird. Da sich Schichten mit präzise kontrollierter Dotierstoffkonzentration herstellen lassen, wird es für Leistungsbauelemente, Bipolarbauelemente und Verbindungshalbleiter-Bauelemente genutzt.
Das Aufwachsen desselben Materials wie das Substrat heißt Homoepitaxie, das Aufwachsen eines anderen Materials Heteroepitaxie. Bei der Heteroepitaxie müssen Defekte berücksichtigt werden, die durch Unterschiede der Gitterkonstanten (Gitterfehlanpassung) entstehen.