Waarom is de epitaxiale laag belangrijk bij de fabricage van SiC-vermogenscomponenten?

Antwoord: A. Omdat de driftlaag die de doorslagspanning draagt met lage onzuiverheidsconcentratie en de vereiste dikte nauwkeurig wordt gevormd

Bij SiC treedt vrijwel geen thermische diffusie van onzuiverheden op, zodat de belangrijkste lagen van de component worden gevormd met epitaxiale groei en ionenimplantatie. In de 1200 V-klasse moet de driftlaag nauwkeurig worden geregeld op circa 10 µm en 10¹⁶ cm⁻³, wat de doorslagspanning en de aan-weerstand direct bepaalt. Basaalvlakdislocaties en oppervlaktedefecten in de epilaag veroorzaken killerdefecten en bipolaire degradatie, dus het verminderen van defecten is de sleutel tot opbrengst en betrouwbaarheid.