Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welk probleem treedt vooral op wanneer het verschil in roosterconstante tussen substraat en gegroeide film (roostermismatch) groot is?

  1. AEr ontstaan kristaldefecten zoals misfit-dislocaties
  2. BDe film wordt altijd amorf
  3. CDe groeisnelheid wordt 0
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Er ontstaan kristaldefecten zoals misfit-dislocaties

Bij het laten groeien van materialen met verschillende roosterconstanten krimpt of rekt de film om zich aan het substraat aan te passen, waarbij spanning wordt opgebouwd. Boven de kritische laagdikte ontstaan misfit-dislocaties aan het grensvlak om de spanning te relaxeren. Een deel daarvan wordt doorlopende dislocaties (threading dislocations) die door de film heen lopen en tot lekstroom, lagere lichtopbrengst en kortere levensduur leiden. Tegenmaatregelen zijn onder meer bufferlagen met geleidelijk veranderende samenstelling, superroosters die dislocaties buigen en selectieve groei.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van MBE (moleculaire bundelepitaxie) is juist?
  2. Welk gas wordt als grondstof gebruikt bij de epitaxiale groei van silicium?
  3. Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?
  4. Hoe heet het verschijnsel dat tijdens epitaxiale groei onzuiverheden uit bijvoorbeeld het substraat via de gasfase in de gegroeide laag worden opgenomen?
  5. Welk voordeel van een wafer waarop een p-type epitaxiale laag met lage concentratie op een p+-substraat is gegroeid (p/p+-epiwafer) is juist?