Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Hoe heet de techniek waarbij bij bijvoorbeeld GaN het kristal vanuit openingen in een masker groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt, waardoor dislocaties afnemen?

  1. ALaterale epitaxiale overgroei (ELO)
  2. BALD
  3. CCMP
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Laterale epitaxiale overgroei (ELO)

Bij ELO worden in een masker van bijvoorbeeld SiO2 strookvormige openingen gemaakt, waaruit het kristal groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt en samenvloeit. Dislocaties die vanaf het substraat omhoog lopen worden door het masker tegengehouden, zodat de dislocatiedichtheid in het gebied boven het masker met enkele ordes van grootte afneemt. De techniek werd eind jaren 1990 gebruikt om de levensduur van blauwviolette lasers op GaN-basis sterk te verlengen, en er zijn ook afgeleide technieken zonder masker ontwikkeld.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke methode laat een kristal op een substraat neerslaan en groeien uit bijvoorbeeld een oplossing in gesmolten metaal?
  2. Welke temperatuur ligt het dichtst bij de gangbare groeitemperatuur voor epitaxiale groei van silicium met trichloorsilaan?
  3. Welke spanning ontstaat in een dunne siliciumlaag die epitaxiaal is gegroeid op een gerelaxeerde SiGe-laag met een grotere roosterconstante?
  4. Welke items worden als kwaliteit van een epitaxiale wafer beheerst?
  5. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een substraat dat enkele graden van de kristalas is gekanteld (met off-angle) bij epitaxiale groei van SiC?