Welk voordeel heeft het toevoegen van onzuiverheden tijdens epitaxiale groei ten opzichte van thermische diffusie?

Antwoord: B. Een in de diepte abrupte concentratieverandering is gemakkelijker te maken

Bij thermische diffusie verspreiden onzuiverheden zich vanaf het oppervlak naar binnen, zodat alleen een profiel kan worden gemaakt waarbij de concentratie aan het oppervlak het hoogst is en geleidelijk afneemt. Bij epitaxiale groei kan de concentratie per laag worden veranderd door de hoeveelheid toegevoegd gas om te schakelen, en zijn abrupte veranderingen binnen enkele nm, structuren met een ingebedde laag met hoge concentratie en het omgekeerde profiel (lage concentratie aan het oppervlak, hoge concentratie binnenin) mogelijk. Dit is onmisbaar voor de basis van HBT's en meerlaagsstructuren van vermogenscomponenten.