Epitaxiale groei
Welke methode laat een kristal op een substraat neerslaan en groeien uit bijvoorbeeld een oplossing in gesmolten metaal?
- AVloeistoffase-epitaxie (LPE)
- BMoleculaire bundelepitaxie (MBE)
- CMetaalorganische chemische dampafzetting (MOCVD)
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Vloeistoffase-epitaxie (LPE)
Bij vloeistoffase-epitaxie wordt een oplossing van het te laten groeien materiaal in een gesmolten metaal (voor GaAs gallium) in contact gebracht met het substraat. Door de temperatuur te verlagen slaat het oververzadigde deel als kristal neer. Omdat de groei dicht bij thermisch evenwicht plaatsvindt, is de kristalkwaliteit goed, en door de eenvoudige apparatuur en snelle groei werd LPE vroeger veel gebruikt voor rode en infrarode leds en vroege halfgeleiderlasers. Het beheersen van dunne lagen en abrupte grensvlakken gaat met MOCVD en MBE beter.