Epitaxiale groei

Welke groeimodus, die ook voor het maken van kwantumdots wordt gebruikt, houdt in dat bij een roostermismatch de eerste paar atoomlagen laag voor laag groeien en bij oplopende spanning overgaan op eilandgroei?

AFrank-van-der-Merwe-type
BVolmer-Weber-type
CStranski-Krastanov-type

Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Stranski-Krastanov-type

Bij het Stranski-Krastanov-type (SK) groeit eerst een dunne bevochtigingslaag van 1 tot 2 atoomlagen laag voor laag. Wanneer de rekenergie groot wordt, is het gunstiger om eilanden te vormen en zo de spanning te laten ontsnappen, ook al neemt de oppervlakte toe, en schakelt de groei over op eilandgroei. Er ontstaan vanzelf gelijkmatige eilanden met een diameter van enkele tientallen nm, die als kwantumdots kunnen worden gebruikt; kwantumdotlasers op InAs/GaAs-basis zijn praktisch toegepast als temperatuurbestendige lichtbron voor optische communicatie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van silicium op een substraat met patronen zoals een buried layer de positie van de op het oppervlak zichtbare trap verschuift ten opzichte van het onderliggende patroon of de vorm vervormt?
Wat is het belangrijkste doel van het inbedden van epitaxiaal gegroeid Si:C, silicium met een beetje koolstof, in source en drain van nMOS?
Welke techniek in onderzoeksfase laat een kristal groeien op een substraat dat met een 2D-materiaal zoals grafeen is bedekt, zodat de gegroeide film van het substraat kan worden losgemaakt en het substraat hergebruikt?
Wat is het belangrijkste doel van het toevoegen van koolstof of ijzer aan de GaN-bufferlaag onder het kanaal in een epistructuur voor GaN-HEMT's?
Hoe heet de grens van een gebied in het kristal waar de volgorde van Ga en As is omgekeerd, die gemakkelijk ontstaat wanneer een polaire samengestelde halfgeleider zoals GaAs op een niet-polair siliciumsubstraat wordt gegroeid?