Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Waarvoor wordt MOCVD (metaalorganische chemische dampafzetting) vooral gebruikt?

  1. AThermische oxidatie van silicium
  2. BPlateren van Cu-bedrading
  3. CEpitaxiale groei van samengestelde halfgeleiders zoals GaN
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Epitaxiale groei van samengestelde halfgeleiders zoals GaN

Bij MOCVD reageren metaalorganische verbindingen zoals trimethylgallium en hydridegassen zoals ammoniak op een verhit substraat, waarbij het kristal van een samengestelde halfgeleider groeit. Door het omschakelen van gassen kan de samenstelling met een resolutie van enkele nm worden veranderd, en er kunnen per run tientallen wafers worden verwerkt, wat massaproductie mogelijk maakt. MOCVD wordt breed toegepast voor blauwe en witte leds op GaN-basis, halfgeleiderlasers, hoogfrequent- en vermogenscomponenten en ook voor de productie van zonnecellen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welk probleem treedt vooral op wanneer het verschil in roosterconstante tussen substraat en gegroeide film (roostermismatch) groot is?
  2. Welke uitspraak over de kenmerken van MBE (moleculaire bundelepitaxie) is juist?
  3. Welk gas wordt als grondstof gebruikt bij de epitaxiale groei van silicium?
  4. Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat tijdens epitaxiale groei onzuiverheden uit bijvoorbeeld het substraat via de gasfase in de gegroeide laag worden opgenomen?