Welk voordeel van een wafer waarop een p-type epitaxiale laag met lage concentratie op een p+-substraat is gegroeid (p/p+-epiwafer) is juist?

Antwoord: B. De kristalkwaliteit van het oppervlak is goed en latch-up in CMOS wordt gemakkelijker onderdrukt

De epilaag heeft minder defecten, zoals zuurstofprecipitaten en COP's, dan het oppervlak van een CZ-wafer, waardoor de kwaliteit van het oppervlak waarop de componenten worden gemaakt beter is. Met een p+-substraat met lage weerstand eronder kan de stroom van de parasitaire thyristor bovendien gemakkelijk naar het substraat wegvloeien en ontstaat nauwelijks potentiaalverschil tussen wells, zodat latch-up in CMOS gemakkelijker wordt onderdrukt. Een substraat met hoge concentratie helpt ook bij het gettern van metaalverontreinigingen en wordt veel gebruikt voor microcontrollers en beeldsensoren.