Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke temperatuur komt het dichtst bij de gangbare groeitemperatuur van epitaxiale groei (CVD) van SiC?

  1. ACirca 600 °C
  2. BCirca 1.000 °C
  3. CCirca 1.500 tot 1.650 °C
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Circa 1.500 tot 1.650 °C

Bij SiC zijn de bindingen sterk en bewegen atomen aan het oppervlak moeilijk, dus voor een epitaxiale laag van goede kwaliteit is met circa 1.500 tot 1.650 °C een temperatuur nodig die circa 500 °C hoger ligt dan bij silicium. Als grondstoffen worden silaan of trichloorsilaan en een koolwaterstof zoals propaan gebruikt, en de opname van onzuiverheden wordt geregeld met de C/Si-verhouding. Om deze temperatuur te doorstaan worden voor de onderdelen van de reactor SiC of met TaC bedekt grafiet gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welk reactortype is de hoofdstroom bij epitaxiale groei van silicium op 300 mm-wafers?
  2. Wat is het doel van een 'graded buffer layer' (laag waarvan de samenstelling geleidelijk verandert) bij heteroepitaxiale groei van materialen met sterk verschillende roosterconstanten?
  3. Wat betekent een smalle halfwaardebreedte van de piek in de rocking curve van röntgendiffractie bij de beoordeling van de kristalkwaliteit van een epitaxiale laag?
  4. Wat betekent de 'V/III-verhouding' die bij de groei van GaN met MOCVD als voorwaarde wordt beheerst?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat bij hoge-temperatuurgroei van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie onzuiverheden uit het substraat door diffusie in vaste stof naar de epilaag sijpelen, waardoor de concentratieovergang aan het grensvlak minder abrupt wordt?