Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke spanning ontstaat in een dunne siliciumlaag die epitaxiaal is gegroeid op een gerelaxeerde SiGe-laag met een grotere roosterconstante?

  1. ADrukspanning
  2. BEr ontstaat geen spanning
  3. CTrekspanning
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Trekspanning

De roosterconstante van silicium (0,543 nm) is kleiner dan die van SiGe. Als dun silicium op gerelaxeerd SiGe wordt gegroeid, wordt de atoomafstand in het vlak opgerekt tot die van SiGe en ontstaat trekspanning (gespannen silicium). Door de spanning splitsen de dalen van de geleidingsband, verzamelen elektronen zich in de dalen met een lichte effectieve massa en neemt ook de verstrooiing af, zodat de elektronenmobiliteit 1,5 tot 2 keer zo groot wordt. Dit wordt gebruikt om de prestaties van nMOS te verbeteren.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke items worden als kwaliteit van een epitaxiale wafer beheerst?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een substraat dat enkele graden van de kristalas is gekanteld (met off-angle) bij epitaxiale groei van SiC?
  3. Welk voordeel van epitaxiale groei van silicium bij verlaagde druk is juist?
  4. Welke methode meet de dikte van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie met behulp van interferentie van infrarood licht?
  5. Wat is de belangrijkste uitdaging bij het laten groeien van GaN op een Si-substraat?