Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van SiC meerdere atoomstappen op het oppervlak samenkomen tot een grote trap, waardoor het oppervlak ruw wordt?

Antwoord: B. Step bunching

Op een substraat met off-angle groeit het kristal langs de stappen, maar als de groei- of etssnelheid per stap verschilt, komen meerdere stappen samen tot een grote trap van enkele nm tot enkele tientallen nm. Dit is step bunching; de ruwheid van het oppervlak verslechtert de eigenschappen van het MOS-grensvlak en de betrouwbaarheid van het gateoxide. Bij SiC onderdrukt men het via de condities van het waterstofetsen vóór de groei, de C/Si-verhouding en een kleinere off-angle.