Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke uitspraak over de kritische laagdikte bij heteroepitaxiale groei is juist?

  1. ADe minimale laagdikte die nodig is om de groei te laten beginnen
  2. BDe maximale laagdikte die met etsen kan worden verwijderd
  3. CDe maximale laagdikte waarbij de film gespannen kan groeien zonder dislocaties te vormen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De maximale laagdikte waarbij de film gespannen kan groeien zonder dislocaties te vormen

Films met een andere roosterconstante groeien zolang ze dun zijn gespannen mee met het substraat (coherente groei). Naarmate de laagdikte toeneemt, groeit de rekenergie en boven de kritische laagdikte ontstaan misfit-dislocaties, waardoor de spanning relaxeert. Hoe groter de mismatch, hoe kleiner de kritische laagdikte; bij SiGe met 20% Ge is deze bijvoorbeeld enkele tientallen nm. Het is een belangrijke waarde bij het ontwerpen van gespannen SiGe-lagen en kwantumputten zonder dislocaties.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Wat is het belangrijkste doel van het verhitten van de wafer in een waterstofatmosfeer bij hoge temperatuur vlak vóór de epitaxiale groei van silicium?
  2. Waarom is de epitaxiale laag belangrijk bij de fabricage van SiC-vermogenscomponenten?
  3. Bij epitaxiale groei met CVD hangt de groeisnelheid in het gebied met relatief lage temperatuur sterk van de temperatuur af. Welke verklaring is juist?
  4. Welk veelvoorkomend kristaldefect in epitaxiale lagen is een verstoring van de stapelvolgorde van de atoomvlakken?
  5. Hoe heet de techniek waarbij bij bijvoorbeeld GaN het kristal vanuit openingen in een masker groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt, waardoor dislocaties afnemen?