Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?

  1. AGelijkmatige groei over het gehele waferoppervlak
  2. BSelectief amorfe films laten groeien
  3. CHet kristal groeit alleen op de plaatsen waar silicium bloot ligt en niet op isolatiefilms
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het kristal groeit alleen op de plaatsen waar silicium bloot ligt en niet op isolatiefilms

Bij selectieve epitaxiale groei groeit het kristal, bijvoorbeeld met toevoeging van zoutzuur (HCl), alleen op blootliggend silicium, en kiemen die zich op oxide- of nitridefilms proberen te vormen worden weggeëtst. Dit wordt gebruikt in geavanceerde CMOS voor het inbedden van SiGe of SiP in source en drain, waarmee spanning in het kanaal wordt aangebracht en de weerstand wordt verlaagd, voor de verhoogde source en drain van FinFET's en voor het stapelen van nanosheets in GAA.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Hoe heet het verschijnsel dat tijdens epitaxiale groei onzuiverheden uit bijvoorbeeld het substraat via de gasfase in de gegroeide laag worden opgenomen?
  2. Welk voordeel van een wafer waarop een p-type epitaxiale laag met lage concentratie op een p+-substraat is gegroeid (p/p+-epiwafer) is juist?
  3. Welke uitspraak over de kritische laagdikte bij heteroepitaxiale groei is juist?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het verhitten van de wafer in een waterstofatmosfeer bij hoge temperatuur vlak vóór de epitaxiale groei van silicium?
  5. Waarom is de epitaxiale laag belangrijk bij de fabricage van SiC-vermogenscomponenten?