Epitaxiale groei
Welke uitspraak over epitaxiale groei is juist?
- AHet laten groeien van een monokristallijne dunne film op een monokristallijn substraat, met dezelfde kristaloriëntatie als het substraat
- BHet afzetten van een amorfe film op een substraat
- CHet smelten van een substraat bij hoge temperatuur en het opnieuw laten kristalliseren
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Het laten groeien van een monokristallijne dunne film op een monokristallijn substraat, met dezelfde kristaloriëntatie als het substraat
Bij epitaxiale groei stapelen atomen zich zo dat de kristalstructuur van het substraat wordt overgenomen, waardoor een monokristallijne film met dezelfde oriëntatie als het substraat ontstaat. Onafhankelijk van het substraat kunnen de dopantconcentratie en het materiaal worden gekozen, en er kunnen lagen met minder defecten dan in een CZ-wafer worden gemaakt. Epitaxie wordt daarom gebruikt voor de driftlaag met lage concentratie van vermogenscomponenten, substraten voor CMOS-beeldsensoren, SiGe in source en drain van transistoren en meerlaagsstructuren van leds en lasers.