Wat is het belangrijkste doel van het verhitten van de wafer in een waterstofatmosfeer bij hoge temperatuur vlak vóór de epitaxiale groei van silicium?

Antwoord: C. Het natuurlijke oxide van het oppervlak verwijderen en een schoon kristalvlak blootleggen

Als op het oppervlak natuurlijk oxide (circa 1 nm) of verontreinigingen zoals koolstof achterblijven, groeit daarop geen goed monokristal en ontstaan bijvoorbeeld stapelfouten. Bij verhitting tot circa 1100 °C in waterstof vóór de groei (waterstofbake) reageert SiO2 met silicium en verdampt als SiO, waardoor een schoon siliciumkristalvlak vrijkomt. In geavanceerde processen waar het thermisch budget beperkt moet blijven, gebeurt dit bij lagere temperatuur in combinatie met voorafgaande chemische reiniging of plasmabehandeling.