Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke temperatuur ligt het dichtst bij de gangbare groeitemperatuur voor epitaxiale groei van silicium met trichloorsilaan?

  1. ACirca 100 °C
  2. BCirca 1100 °C
  3. CCirca 2000 °C
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Circa 1100 °C

Epitaxiale groei van silicium met trichloorsilaan vindt gewoonlijk plaats rond 1100 tot 1150 °C, met een hoge groeisnelheid van enkele µm per minuut, wat geschikt is voor dikke epilagen. Met dichloorsilaan is groei ook bij lagere temperaturen van circa 1000 tot 1100 °C mogelijk en met silaan bij 600 tot 900 °C, zodat deze worden gebruikt in geavanceerde processen met een krap thermisch budget. 2000 °C ligt boven het smeltpunt van silicium (circa 1414 °C).

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke spanning ontstaat in een dunne siliciumlaag die epitaxiaal is gegroeid op een gerelaxeerde SiGe-laag met een grotere roosterconstante?
  2. Welke items worden als kwaliteit van een epitaxiale wafer beheerst?
  3. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een substraat dat enkele graden van de kristalas is gekanteld (met off-angle) bij epitaxiale groei van SiC?
  4. Welk voordeel van epitaxiale groei van silicium bij verlaagde druk is juist?
  5. Welke methode meet de dikte van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie met behulp van interferentie van infrarood licht?