Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van silicium op een substraat met patronen zoals een buried layer de positie van de op het oppervlak zichtbare trap verschuift ten opzichte van het onderliggende patroon of de vorm vervormt?

  1. APatroonverschuiving (pattern shift)
  2. BLoading-effect
  3. CMicroloading
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Patroonverschuiving (pattern shift)

Bij epitaxiale groei verschilt de groeisnelheid per kristalvlakoriëntatie, waardoor de positie van de trappen van het onderliggende patroon tijdens de groei zijwaarts verschuift (pattern shift), de vorm vervormt (pattern distortion) of verdwijnt (washout). Dit veroorzaakt fouten bij de uitlijning op de positie van de buried layer bij latere belichting. Men onderdrukt het door wafers te gebruiken die enkele graden van het (100)-vlak zijn gekanteld en door groeitemperatuur en druk aan te passen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Wat is het belangrijkste doel van het inbedden van epitaxiaal gegroeid Si:C, silicium met een beetje koolstof, in source en drain van nMOS?
  2. Welke techniek in onderzoeksfase laat een kristal groeien op een substraat dat met een 2D-materiaal zoals grafeen is bedekt, zodat de gegroeide film van het substraat kan worden losgemaakt en het substraat hergebruikt?
  3. Wat is het belangrijkste doel van het toevoegen van koolstof of ijzer aan de GaN-bufferlaag onder het kanaal in een epistructuur voor GaN-HEMT's?
  4. Hoe heet de grens van een gebied in het kristal waar de volgorde van Ga en As is omgekeerd, die gemakkelijk ontstaat wanneer een polaire samengestelde halfgeleider zoals GaAs op een niet-polair siliciumsubstraat wordt gegroeid?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van SiC meerdere atoomstappen op het oppervlak samenkomen tot een grote trap, waardoor het oppervlak ruw wordt?