Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Waarom is het in geavanceerde CMOS-processen nodig de temperatuur van de epitaxiale groei van silicium of SiGe te verlagen?

  1. AOm de epitaxiale groei sneller te maken
  2. BOm de apparatuur groter te maken
  3. COm diffusie van onzuiverheden en vervorming van reeds gevormde structuren te onderdrukken (beperking van het thermisch budget)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om diffusie van onzuiverheden en vervorming van reeds gevormde structuren te onderdrukken (beperking van het thermisch budget)

De fijne structuren van transistoren en de abrupte onzuiverheidsprofielen vallen uiteen doordat onzuiverheden diffunderen als ze aan hoge temperatuur worden blootgesteld. Ook relaxeert de spanning in SiGe en vermengen nanosheetlagen zich. Epitaxiale groei van bijvoorbeeld source en drain, die laat in het proces plaatsvindt, moet daarom bij lage temperatuur worden uitgevoerd, circa 600 tot 700 °C of lager. De hoeveelheid warmte die in het hele proces is toegestaan heet het thermisch budget.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welk kristalpolytype (polytype) wordt vooral gebruikt voor SiC-vermogenscomponenten?
  2. Welke techniek in MBE laat een elektronenbundel onder een ondiepe hoek op het groeiende oppervlak vallen en neemt de groei in situ waar aan de hand van het diffractiebeeld?
  3. Welke uitspraak over de herkomst van het woord 'epitaxie' (epitaxy) is juist?
  4. Welk bereik is gebruikelijk voor de dikte van de epitaxiale laag van siliciumepiwafers voor LSI en vermogenscomponenten?
  5. Wat is de belangrijkste rol van de grote hoeveelheid waterstof (H2) die samen met het grondstofgas wordt toegevoerd bij epitaxiale groei van silicium?