Hoe heet het verschijnsel dat tijdens epitaxiale groei onzuiverheden uit bijvoorbeeld het substraat via de gasfase in de gegroeide laag worden opgenomen?

Antwoord: A. Auto-doping

Auto-doping is het verschijnsel dat onzuiverheden uit een substraat met een hoge onzuiverheidsconcentratie, of uit de achter- en zijkant daarvan, verdampen en via het gas in de groeiende laag worden opgenomen. Het treedt vooral in het begin van de groei op, waardoor de onzuiverheidsconcentratie van de epilaag van de ontwerpwaarde afwijkt en de concentratieovergang aan het grensvlak minder abrupt wordt. Tegenmaatregelen zijn onder meer het afdekken van de achterkant van het substraat met oxide of polysilicium, groei bij verlaagde druk en het vooraf met gas verdrijven van onzuiverheden.