Epitaxiale groei
Welk voordeel van epitaxiale groei van silicium bij verlaagde druk is juist?
- AAuto-doping is gemakkelijker te onderdrukken
- BDe groeisnelheid wordt altijd hoger
- CDe groeitemperatuur kan 2000 °C of hoger zijn
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Auto-doping is gemakkelijker te onderdrukken
Bij epitaxiale groei bij verlaagde druk (enkele kPa tot enkele tientallen kPa) diffundeert gas sneller, waardoor onzuiverheden die uit het substraat zijn verdampt zich minder gemakkelijk ophopen in de grenslaag bij het groeivlak. Auto-doping wordt zo onderdrukt. De grenslaag wordt dikker en het gas verspreidt zich gelijkmatig, zodat de uniformiteit van de laagdikte meestal ook beter is en selectieve groei gemakkelijker wordt. De groeisnelheid is echter doorgaans lager dan bij atmosferische druk, dus de keuze hangt van de toepassing af.