Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welk kristalpolytype (polytype) wordt vooral gebruikt voor SiC-vermogenscomponenten?

  1. A4H-SiC
  2. B3C-SiC
  3. C15R-SiC
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. 4H-SiC

SiC kent meer dan 200 kristalpolytypen, maar voor vermogenscomponenten wordt vooral 4H-SiC gebruikt, omdat de bandkloof met circa 3,26 eV groot is, de elektronenmobiliteit met circa 1000 cm²/V·s hoog is en het verschil tussen richtingen (anisotropie) klein is. 6H-SiC heeft een grote anisotropie van de mobiliteit en 3C-SiC heeft met circa 2,4 eV een kleinere bandkloof. Een andere reden is dat de technologie voor hoogwaardige substraten en epitaxiale groei is gevestigd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke techniek in MBE laat een elektronenbundel onder een ondiepe hoek op het groeiende oppervlak vallen en neemt de groei in situ waar aan de hand van het diffractiebeeld?
  2. Welke uitspraak over de herkomst van het woord 'epitaxie' (epitaxy) is juist?
  3. Welk bereik is gebruikelijk voor de dikte van de epitaxiale laag van siliciumepiwafers voor LSI en vermogenscomponenten?
  4. Wat is de belangrijkste rol van de grote hoeveelheid waterstof (H2) die samen met het grondstofgas wordt toegevoerd bij epitaxiale groei van silicium?
  5. Welke methode wordt gebruikt om een dikke GaN-laag snel te laten groeien om een vrijstaand GaN-substraat te maken?