Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welk reactortype is de hoofdstroom bij epitaxiale groei van silicium op 300 mm-wafers?

  1. ASingle-wafer-reactor die wafers één voor één verwerkt
  2. BDip-type waarbij in vloeistof wordt gedompeld
  3. CBatch-diffusieoven die honderden wafers tegelijk verwerkt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Single-wafer-reactor die wafers één voor één verwerkt

Bij epitaxiale groei op 300 mm-wafers zijn single-wafer-reactoren de hoofdstroom, waarbij wafers één voor één snel worden verhit met halogeenlampen door een kwartsvenster en gasstroom en temperatuur nauwkeurig worden geregeld. Door de wafer te roteren wordt de uniformiteit verhoogd en blijft de spreiding in laagdikte en soortelijke weerstand beperkt tot circa ±1 tot 2%. Condities zijn gemakkelijk aan te passen en door het snelle verhitten en afkoelen kan ook het thermisch budget klein blijven. Bekende fabrikanten zijn onder meer Applied Materials uit de VS en ASM.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Wat is het doel van een 'graded buffer layer' (laag waarvan de samenstelling geleidelijk verandert) bij heteroepitaxiale groei van materialen met sterk verschillende roosterconstanten?
  2. Wat betekent een smalle halfwaardebreedte van de piek in de rocking curve van röntgendiffractie bij de beoordeling van de kristalkwaliteit van een epitaxiale laag?
  3. Wat betekent de 'V/III-verhouding' die bij de groei van GaN met MOCVD als voorwaarde wordt beheerst?
  4. Hoe heet het verschijnsel dat bij hoge-temperatuurgroei van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie onzuiverheden uit het substraat door diffusie in vaste stof naar de epilaag sijpelen, waardoor de concentratieovergang aan het grensvlak minder abrupt wordt?
  5. Welke techniek, ontwikkeld door onder meer Isamu Akasaki en Hiroshi Amano, waarbij eerst bij lage temperatuur een dunne laag wordt afgezet en daarna bij hoge temperatuur GaN wordt gegroeid, dient om GaN van hoge kwaliteit op een saffiersubstraat te laten groeien?