Epitaxiale groei

Welke methode meet de dikte van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie met behulp van interferentie van infrarood licht?

  1. ASIMS
  2. BDoorsnedewaarneming met SEM
  3. CFouriertransformatie-infraroodspectroscopie (FTIR)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Fouriertransformatie-infraroodspectroscopie (FTIR)

Een substraat met hoge concentratie bevat veel vrije ladingdragers, waardoor de brekingsindex voor infrarood licht iets afwijkt van die van de epilaag met lage concentratie en aan het grensvlak reflectie optreedt. Als met FTIR de afstand tussen de interferentiefranjes van het licht dat aan het oppervlak en aan het grensvlak wordt gereflecteerd wordt gemeten, kan de dikte van de epilaag niet-destructief, contactloos en binnen enkele seconden worden bepaald. Is het concentratieverschil tussen substraat en epilaag klein, dan is de reflectie aan het grensvlak zwak en is meten niet mogelijk; dan worden doorsnedewaarneming of C-V-metingen gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Wat is de belangrijkste uitdaging bij het laten groeien van GaN op een Si-substraat?
  2. Hoe heet het toevoegen van onzuiverheden tijdens de groei door doteergas te laten stromen tijdens epitaxiale groei?
  3. Hoe heet een periodieke structuur van afwisselend gestapelde lagen van verschillende materialen, elk circa enkele nm dun?
  4. Welke techniek wordt gebruikt om de baselaag van een SiGe-HBT te vormen?
  5. Welk voordeel heeft het toevoegen van onzuiverheden tijdens epitaxiale groei ten opzichte van thermische diffusie?