Epitaxiale groei

Wat is de belangrijkste rol van de grote hoeveelheid waterstof (H2) die samen met het grondstofgas wordt toegevoerd bij epitaxiale groei van silicium?

  1. AHet is zelf de grondstof van silicium
  2. BHet is een n-type dopant
  3. CHet is een draaggas dat het grondstofgas transporteert en een reducerende atmosfeer vormt die het oppervlak schoon houdt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het is een draaggas dat het grondstofgas transporteert en een reducerende atmosfeer vormt die het oppervlak schoon houdt

Bij epitaxiale groei van silicium wordt het grondstofgas, zoals trichloorsilaan, verdund met een grote hoeveelheid waterstof naar de reactor gevoerd. Waterstof werkt als draaggas dat de grondstof transporteert en neemt als reductiemiddel deel aan de reactie. In de reducerende atmosfeer voorkomt het oxidatie van het oppervlak en voert het het bij de reactie gevormde chloor als waterstofchloride af. Ook houdt waterstof het oppervlak schoon door de openstaande bindingen van de siliciumatomen aan het oppervlak af te sluiten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke methode wordt gebruikt om een dikke GaN-laag snel te laten groeien om een vrijstaand GaN-substraat te maken?
  2. Welke waarde komt het dichtst bij de gangbare dichtheid van doorlopende dislocaties die in GaN op een saffiersubstraat tot aan het filmoppervlak doordringen?
  3. Wat is het belangrijkste doel van een laag met hoge concentratie (buried layer) onder de epitaxiale laag bij bijvoorbeeld bipolaire transistoren?
  4. Welke temperatuur komt het dichtst bij de gangbare groeitemperatuur van epitaxiale groei (CVD) van SiC?
  5. Welk reactortype is de hoofdstroom bij epitaxiale groei van silicium op 300 mm-wafers?