Epitaxiale groei

Welke techniek in MBE laat een elektronenbundel onder een ondiepe hoek op het groeiende oppervlak vallen en neemt de groei in situ waar aan de hand van het diffractiebeeld?

  1. ASIMS
  2. BRHEED (reflectie-hoogenergetische elektronendiffractie)
  3. CXPS
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. RHEED (reflectie-hoogenergetische elektronendiffractie)

RHEED is een techniek waarbij een elektronenbundel van 10 tot 30 keV onder een scherpe hoek van circa 1 tot 3° op het groeiende oppervlak valt en het diffractiepatroon op een fluorescentiescherm wordt waargenomen. Hieruit zijn de vlakheid en de reconstructiestructuur van het oppervlak af te lezen. Bij laag-voor-laag-groei van één atoomlaag verandert de ruwheid van het oppervlak periodiek en oscilleert de intensiteit, zodat het aantal gegroeide lagen in situ kan worden geteld. Deze waarneming is alleen mogelijk in ultrahoogvacuüm-MBE, waar de elektronenbundel niet door gasmoleculen wordt verstrooid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welke uitspraak over de herkomst van het woord 'epitaxie' (epitaxy) is juist?
  2. Welk bereik is gebruikelijk voor de dikte van de epitaxiale laag van siliciumepiwafers voor LSI en vermogenscomponenten?
  3. Wat is de belangrijkste rol van de grote hoeveelheid waterstof (H2) die samen met het grondstofgas wordt toegevoerd bij epitaxiale groei van silicium?
  4. Welke methode wordt gebruikt om een dikke GaN-laag snel te laten groeien om een vrijstaand GaN-substraat te maken?
  5. Welke waarde komt het dichtst bij de gangbare dichtheid van doorlopende dislocaties die in GaN op een saffiersubstraat tot aan het filmoppervlak doordringen?