Epitaxiale groei
Welke techniek in MBE laat een elektronenbundel onder een ondiepe hoek op het groeiende oppervlak vallen en neemt de groei in situ waar aan de hand van het diffractiebeeld?
- ASIMS
- BRHEED (reflectie-hoogenergetische elektronendiffractie)
- CXPS
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. RHEED (reflectie-hoogenergetische elektronendiffractie)
RHEED is een techniek waarbij een elektronenbundel van 10 tot 30 keV onder een scherpe hoek van circa 1 tot 3° op het groeiende oppervlak valt en het diffractiepatroon op een fluorescentiescherm wordt waargenomen. Hieruit zijn de vlakheid en de reconstructiestructuur van het oppervlak af te lezen. Bij laag-voor-laag-groei van één atoomlaag verandert de ruwheid van het oppervlak periodiek en oscilleert de intensiteit, zodat het aantal gegroeide lagen in situ kan worden geteld. Deze waarneming is alleen mogelijk in ultrahoogvacuüm-MBE, waar de elektronenbundel niet door gasmoleculen wordt verstrooid.