Epitaxiale groei
Welke waarde komt het dichtst bij de gangbare dichtheid van doorlopende dislocaties die in GaN op een saffiersubstraat tot aan het filmoppervlak doordringen?
- ACirca 10²⁰ cm⁻²
- BCirca 10¹ tot 10² cm⁻²
- CCirca 10⁸ tot 10⁹ cm⁻²
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Circa 10⁸ tot 10⁹ cm⁻²
De roosterconstanten van saffier en GaN verschillen met circa 16%, zodat GaN op saffier doorlopende dislocaties met een hoge dichtheid van 10⁸ tot 10⁹ cm⁻² bevat. Voor silicium-LSI zou dit fataal zijn, maar leds op InGaN-basis geven toch efficiënt licht. Men neemt aan dat dit komt doordat ladingdragers door fluctuaties in de samenstelling van de InGaN-laag lokaal worden opgesloten en recombineren voordat zij dislocaties bereiken. Bij lasers en vermogenscomponenten is verlaging van het aantal dislocaties daarentegen belangrijk.