Wat is het belangrijkste doel van het inbedden van epitaxiaal gegroeid Si:C, silicium met een beetje koolstof, in source en drain van nMOS?

Antwoord: C. Met Si:C, dat een kleinere roosterconstante heeft, trekspanning op het kanaal aanbrengen en de elektronenmobiliteit verhogen

Koolstofatomen zijn kleiner dan siliciumatomen, dus de roosterconstante van Si:C met 1 tot 2% koolstof is kleiner dan die van silicium. Wordt dit in source en drain van nMOS ingebed, dan wordt het kanaal ertussen uitgerekt en ontstaat trekspanning, waardoor de elektronenmobiliteit toeneemt. Koolstof komt echter moeilijk op roosterplaatsen terecht en ontsnapt bij hoge temperatuur gemakkelijk, dus de praktische toepassing is beperkt, en tegenwoordig vormen SiP-epilagen met een hoge fosforconcentratie de hoofdstroom. Bij pMOS wordt juist SiGe gebruikt.