Epitaxiale groei

Welk veelvoorkomend kristaldefect in epitaxiale lagen is een verstoring van de stapelvolgorde van de atoomvlakken?

  1. AVoid
  2. BHillock
  3. CStapelfout (stacking fault)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Stapelfout (stacking fault)

Een stapelfout is een defect waarbij de stapelvolgorde van de atoomvlakken van het kristal (ABCABC… op het {111}-vlak van silicium) lokaal is verstoord. Bij epitaxiale groei ontstaat het vanuit verontreinigingen, deeltjes of krassen op het substraatoppervlak en het verschijnt op het oppervlak als driehoekig of vierkant patroon, zodat het met optische inspectie kan worden geteld. Het veroorzaakt onder meer lekstroom in de component, dus reiniging vóór de groei en oppervlaktebehandeling met een waterstofbake zijn belangrijk.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Hoe heet de techniek waarbij bij bijvoorbeeld GaN het kristal vanuit openingen in een masker groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt, waardoor dislocaties afnemen?
  2. Welke methode laat een kristal op een substraat neerslaan en groeien uit bijvoorbeeld een oplossing in gesmolten metaal?
  3. Welke temperatuur ligt het dichtst bij de gangbare groeitemperatuur voor epitaxiale groei van silicium met trichloorsilaan?
  4. Welke spanning ontstaat in een dunne siliciumlaag die epitaxiaal is gegroeid op een gerelaxeerde SiGe-laag met een grotere roosterconstante?
  5. Welke items worden als kwaliteit van een epitaxiale wafer beheerst?